腾讯科技讯 5月18日，你曾经有过因为电脑运行速度太慢而想打穿屏幕的激动吗？又或者你发明本身手机加载某一简单应用都需要很永劫间吗？幸运的是，此后的科技消费者或将不再会受到这些问题的困扰，因为IBM本周发现了一项革命性的新技术，这一技术的问世会将电子设备的运行、载入速度大大提高。

IBM当地时间周二公布发表了本身在所谓“相变革内存”(Phase Change Memory,PCM)技术上取得的重猛进步，而这一技术进步则将辅佐我们打破现有电子设备运行速度的瓶颈。

事实上，“相变革内存”多年来一直处于研发阶段，但IBM认为这项技术的本钱已降至了可被消费者电子设备接受的范畴内。同时，这一技术对付诸如Facebook这些需要迅速访谒大量信息的企业也会带来巨大辅佐。

据悉，IBM研究员哈里斯-珀奇迪斯(Haris Pozidis)在其时间周二的巴黎存储技术大会上初度发布了公司取得的这一成效，而他则相信“相变革内存”会在2017年正式投入商用。

简单来说，“相变革内存”需要对芯片内特殊微型玻璃质料进行电加热，而这些材猜中每个单元的降温方法则决定了芯片中所生存的数据巨细。好比，在逐步降温的过程中，质料原子将会呈晶格局摆列。而在迅速降温时，质料原子的摆列将杂乱无章。不过，IBM已经对这项技术进行了改造以确保其能够存储更多的数据位。而早在2011年，IBM就告成实现了在单个单位中生存两位数据。

在本周巴黎存储技术大会上，珀奇迪斯公布发表“相变革内存”单位已可以生存三位数据。而在一块芯片中生存更多的数据就意味着这一技术本钱的下降，因此其相较于传统存储技术也更具竞争优势。

平心而论，我们大大都人都将计算机、电子设备在近年来取得的逐步进步认作是理所该当的工作。但事实上，无论是条记本变得更薄还是网络速度变得更快的背后都凝聚了无数人的辛勤劳动和支付。而且，将一项新技术正式投入商用也不是一件简单的工作。

目前，我们使用的手机和PC设备凡是会同时使用两种技术生存数据，它们分袂是能耗较大的DRAM动态存储和存取速度较慢、本钱较低、即便在断电情况下也能生存数据的闪存。不过，“相变革内存”结合了DRAM和闪存的长处。具体来说就是，DRAM动态存储的存取速度是“相变革内存”的5到10倍，但后者的存取速度倒是闪存的70倍摆布。因此，使用“相变革内存”技术的手机应用加载速度将比闪存更快。

IBM估量，“相变革内存”的未来本钱将会低于DRAM，甚至可以降至与闪存相当的程度。固然，要想让“相变革内存”技术的制造本钱降低至闪存的程度也并非易事。因为如今依旧有许多厂商在继续改造闪存技术，且取得了不错的结果。此中一个最为明显的例子就是，第一代iPad的最大存储容量仅为64GB，而最新iPadPro的最大内存已经提高至了256GB级别。（汤姆）